虽然三星电子的因良延误10纳米级第七代DRAM（即1d DRAM）已经完成了预生产批准（PRA）流程，但是率不量产据韩媒《朝鲜日报》报道，三星最终还是达标海外追剧叫停了量产计划。

1d DRAM是星叫三星将用于第九代高带宽内存HBM5E的关键芯片，虽然当前的计划1c DRAM覆盖了第六代到第八代内存（HBM4、HBM4E、因良延误HBM5），率不量产工艺也十分成熟。达标但HBM5E需要的星叫海外追剧是更强大的性能，用1c DRAM可能会因为物理极限而产生瓶颈，计划所以需要容量更大、因良延误速度更快的率不量产1d DRAM来顶上。

三星在GTC 2026上展示的达标HBM4E

据悉，三星原计划在今年一季度进行1d DRAM的星叫试产，但是计划卡住三星的还是良率这个问题。三星管理层在评估了情况之后，认为工艺难度呈指数型增长，担心良率不及预期将导致投资回报率下降。而且据消息人士补充称，目前也没有客户对1d DRAM表现出意向，所以管理层决定无限期推迟量产。这良率难道要成为继电池之后的第二个“心魔”？

《朝鲜日报》称，半导体行业是良率定生死的行业，1%的良率变动就关系到数万亿韩元（1万亿韩元=46.2亿人民币）的利润，三星在这个节骨眼下选择谨慎对待也就不无道理了，原安排在1d DRAM项目组的400多人都已经停工。至于何时复工，那起码也得等到良率达标为止。 受此影响，HBM5E或许也要延期了。

三星的这个决定也加剧了内部的危机感，因为据称SK海力士在1d DRAM上的进展相对更加顺利。业内人士称，三星去年在1c DRAM和1d DRAM同时发力的路线是错误的，还不如集中力量怼其中一个方向。三星这个选错路线的传统艺能也是没谁了。

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