NVIDIA明年最受关注的心曝下更显卡当然就是GeForce RTX 5090显卡，目前这块GPU的光面核心参数已经曝光，相比较RTX 4090显卡提升极其明显，积暴海外资源访问从而带来更加出色的增塞游戏表现，此外在AI性能上，多晶相信RTX 5090也有让人惊艳的体管表现。不过在制程选择上，心曝下更NVIDIA并没有选择最新的光面3nm工艺，而是积暴海外资源访问将会采用全面定制的N4工艺，因此在晶体管密度上提升就没有这么明显，增塞那么想要容纳更多的多晶晶体管，最为有效的体管办法当然就是增加芯片的面积。根据最新的心曝下更曝光消息，RTX 5090显卡将会跟RTX 2080一样，光面采用超大面积的积暴核心。

来自芯片人士提供的曝光消息，RTX 5090将会采用一颗面积为24x31毫米的GPU，总面积达到了744平方毫米，而目前的RTX 4090显卡的GPU面积为608平方毫米，也就是说光是芯片的面积就要提升22%，这个提升幅度还是相当明显的。除此之外744平方毫米的面积在所有的消费级GPU中排得上号，仅次于图灵架构的754平方毫米，当然跟面向计算卡的Volta架构的815平方毫米还是差了点。

至于为什么RTX 5090显卡会使用这么一颗超大面积的芯片，估计最主要的原因还是制程还没有太大的变化，由于增加了相当多的光追计算单元，因此图灵架构的核心面积增大了很多，随后两代NVIDIA选择了三星的8nm以及台积电的4nm制程，因此芯片面积可以做得更小。而这一次RTX 5090也没有选择台积电的3nm制程，因此面积又大幅提升，而大面积带来的副作用就是功耗以及发热的快速提升，据悉RTX 5090显卡的功耗将会达到600W，对散热器也将提出严峻的挑战。

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